Essas memórias podem ser facilimente integradas a sistemas de Inteligência Artificial, dispositivos dotados de Internet das Coisas, microcontroladores e, claro, computadores de alta performance

Memória de acesso aleatório magnetoresistiva ou, simplesmente eMRAM. Este é o nome da memória que a Samsung começou a fabricar em escala comercial e cuja velocidade de gravação promete ser até mil vezes mais rápida que os já tradicionais eFlash.

Além da rapidez, a eMRAM utiliza tensões mais baixas e alta escalabilidade. Com isso, elas podem ser facilimente integradas a sistemas de Inteligência Artificial, dispositivos dotados de Internet das Coisas, microcontroladores e, claro, computadores de alta performance.

A tecnologia MRAM é não-volátil, ou seja, os dados não são apagados mesmo sem eletricidade como acontece com as memória NAND Flash, o que inclui ainda um consumo muito menor de energia. Além disso, elas podem processar dados tão rapidamente quanto a DRAM volátil e são considerados uma tecnologia de memória de última geração.

Mas, como nada é perfeito, a capacidade de armazenamento da eMRAM é menor que as de suas “colegas”. Este padrão suporta apenas 1 Gbit por chip, algo bem menor se comparado à memória flash que, atualmente, é superior a 1 Tbit por chip.

Para completar, a produção de chips eMRAM usa a tecnologia de 28 nm (nanômetros) no padrão FD-SOI (full-depleted silicon-on-insulator ), também conhecido como 28FDS. A ideia é que as memórias eMRAM substituam as memórias flash embarcadas (eFlash) em um futuro próximo, com os benefícios que descrevemos acima.

Fonte: https://olhardigital.com.br/noticia/samsung-lanca-memoria-ram-ate-mil-vezes-mais-rapida-que-um-eflash/83405